[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201611127831.0 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN107026198B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 刘柏均;陈祈铭;张耀中;余俊磊;江振豪;喻中一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，其包含衬底、所述衬底上方的具有第一带隙的第一III‑V层、以及所述第一III‑V层上方的具有第二带隙的第二III‑V层。所述第二III‑V层包含与所述第一III‑V层接触的第一表面以及与所述第一表面对置的第二表面。所述第二表面处的所述第二带隙大于所述第一表面处的所述第二带隙。本发明实施例还提供上述半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包括：衬底；第一III‑V层，在所述衬底上方，具有第一带隙；以及第二III‑V层，在所述第一III‑V层，具有第二带隙，所述第二III‑V层包括：第一表面，其接触所述第一III‑V层；以及第二表面，其与所述第一表面对置，其中所述第二表面处的所述第二带隙大于所述第一表面处的所述第二带隙。
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