[发明专利]一种用于生长低缺陷碳化硅单晶的籽晶处理方法有效
| 申请号： | 201611126006.9 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106435734B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 乔松;杨昆;高宇;郑清超 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 郝学江 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种用于生长低缺陷碳化硅单晶的籽晶处理方法。本发明提供的籽晶处理方法，通过在籽晶背面形成凹凸结构石墨层，控制籽晶面温度分布，调控晶体生长过程中晶核的形成位置，有效抑制晶核在籽晶缺陷位置形成，提升了生长SiC晶体的质量。该方法能够使用具有一定缺陷的籽晶生长得到低缺陷SiC晶体，且易于实现、成本可控，具有突出的规模化应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 缺陷 碳化硅 籽晶 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生长低缺陷碳化硅单晶的籽晶处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在SiC籽晶背面涂覆聚合物，所述聚合物的涂层厚度为5μm‑100μm；(2)将涂层后的籽晶水平放置于真空加热炉中，真空度保持在1Pa‑50000Pa之间，加热升温至50℃‑150℃，至少保持0.5h，继续升温至200℃‑300℃，至少保持0.5h，升温速率低于100℃/h，自然冷却至室温；(3)继续在聚合物涂层表面涂覆聚合物，并利用模板遮挡部分聚合物涂层表面，遮挡部分无含碳量高于50％的高碳聚合物附着，涂层厚度为1mm‑10mm；(4)重复步骤(2)，去除模板后在涂层面形成凹凸结构；(5)在高温碳化炉中放入涂层后籽晶，真空度保持在1Pa‑50000Pa之间，按升温速率逐步加热到1000℃‑2000℃，使聚合物中小分子释放，逐步石墨化，形成致密且具有凹凸结构的石墨层；(6)处理后的籽晶通过粘结剂或者机械方式固定在坩埚上盖上，使石墨层中凸起部分紧贴坩埚上盖。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北同光晶体有限公司，未经河北同光晶体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611126006.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片
- 下一篇：一种优化碳化硅单晶生长的方法
