[发明专利]一种接触电极制备方法及MOSFET功率器件在审
| 申请号： | 201611125723.X | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108231559A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 田亮;桑玲;王嘉铭;夏经华;李玲;李永平;李嘉琳;焦倩倩;杜玉杰;杨霏 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网江苏省电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种接触电极制备方法及MOSFET功率器件，所述方法包括在衬底的正面形成所述接触电极的接触孔；在接触孔内形成石墨烯层，并向石墨烯层填充金属分别形成栅极接触电极和第一接触电极；在衬底的背面淀积金属，形成第二接触电极；所述MOSFET功率器件包括上述方法制备的接触电极。与现有技术相比，本发明提供的一种接触电极制备方法及MOSFET功率器件，该方法能够改善接触电极的控制问题，降低器件的导通电阻，缩短反向恢复时间，减少开关损耗，提高器件的电流增益。 | ||
| 搜索关键词： | 接触电极 功率器件 制备 石墨烯层 接触孔 衬底 导通电阻 电流增益 淀积金属 反向恢复 降低器件 开关损耗 填充金属 栅极接触 电极 背面 | ||
【主权项】：
1.一种接触电极制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底的正面形成所述接触电极的接触孔，所述接触孔包括栅极接触孔和第一接触孔；在所述接触孔内形成石墨烯层，并向所述石墨烯层填充金属分别形成栅极接触电极和第一接触电极；在所述衬底的背面淀积金属，形成第二接触电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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