[发明专利]基于Ga2O3材料的U型栅MOSFET及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于Ga2O3材料的U型栅MOSFET及其制备方法。该方法包括：选取β‑Ga2O3衬底；在β‑Ga2O3衬底表面生长同质外延层并在同质外延层表面进行离子注入形成N型掺杂区；在N型掺杂区表面采用离子注入工艺形成P阱区；在P阱区表面位置处采用刻蚀工艺在β‑Ga2O3衬底内形成U型槽；在U型槽内制备栅介质层及栅电极；在β‑Ga2O3衬底异于P阱区的上表面位置处制备源电极，并在β‑Ga2O3衬底的下表面制作漏电极，最终形成U型栅MOSFET。本发明实施例的MOSFET采用U型栅电极结构可有效克服MOSFET功率器件导通电阻较高的缺点，且将Ga2O3材料应用于该U型栅结构的衬底及同质外延层，可提高该MOSFET功率器件的耐压和反向击穿电压，在降低导通电阻的同时大幅提高功率器件的性能以及器件可靠性。

主权项

一种基于Ga2O3材料的U型栅MOSFET的制备方法，其特征在于，包括：选取β‑Ga2O3衬底；在所述β‑Ga2O3衬底表面生长同质外延层并在所述同质外延层表面进行离子注入形成N型掺杂区；在所述N型掺杂区表面采用离子注入工艺形成P阱区；在所述P阱区表面位置处采用刻蚀工艺在所述β‑Ga2O3衬底内形成U型槽；在所述U型槽内制备栅介质层及栅电极；在所述β‑Ga2O3衬底异于所述P阱区的上表面位置处制备源电极，并在所述β‑Ga2O3衬底的下表面制作漏电极，最终形成所述U型栅MOSFET。