[发明专利]基于P型Ga2O3材料的复合型双栅NMOS器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于P型Ga₂O₃材料的复合型双栅NMOS器件及其制备方法。该方法包括：选取P型半绝缘衬底，采用分子束外延生长P型β‑Ga₂O₃层；采用干法刻蚀形成台面，制作出有源区；在两侧利用离子注入工艺形成源区和漏区；在有源区靠近源区、漏区的侧面分别形成源漏电极；在有源区另外两侧的斜面利用磁控溅射工艺在靠近源区和漏区侧分别形成第一栅介质层和第二栅介质层以形成复合型双栅介质层；在复合型双栅介质层表面形成栅电极，最终形成复合型双栅高速NMOS器件。本发明基于Ga₂O₃材料，通过采用两种不同介电常数的材料作为复合型栅氧化层以传输电子阻挡空穴以提高传输速率。

主权项

1.一种P型Ga2O3材料的复合型双栅NMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：选取P型半绝缘衬底；在所述半绝缘衬底上采用分子束外延法生长P型β‑Ga2O3层，并通过干法刻蚀形成P型β‑Ga2O3台面,制作出所述NMOS器件的有源区；在所述有源区表面两侧利用离子注入工艺形成源区和漏区；在所述有源区靠近所述源区的侧面形成源电极且在靠近所述漏区的侧面形成漏电极；在所述有源区另外两侧的斜面利用磁控溅射工艺在靠近所述源区侧形成第一栅介质层；在所述有源区另外两侧的斜面利用磁控溅射工艺在靠近所述漏区侧形成第二栅介质层以形成复合型双栅介质层；在所述复合型双栅介质层表面形成栅电极，最终形成所述NMOS器件。