[发明专利]一种Cu2O/CuO/WO3复合异质结薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种Cu₂O/CuO/WO₃复合异质结薄膜的制备方法。该制备方法包括制备前去体溶胶即称取聚乙烯吡咯烷酮（PVP），加入蒸馏水，磁力搅拌溶解，得PVP溶胶，然后加入0.5‑5g偏钨酸铵，搅拌直至偏钨酸铵全部溶解，再加入0.02‑0.2g乙酰丙酮铜，持续搅拌直至完全溶解，得前驱体溶胶；再将上述前驱体溶胶旋涂在衬底上，然后在干燥箱中干燥，得初膜；最后将初膜在空气气氛下煅烧，即得Cu₂O/CuO/WO₃三元复合异质结薄膜。本发明提供的方法所需成膜设备简单、所需原料成本低、所得薄膜表面平整、分布均匀并且光催化活性高。

主权项

1.一种Cu₂O/CuO/WO₃复合异质结薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，制备前躯体溶胶称取聚乙烯吡咯烷酮，加入蒸馏水，磁力搅拌溶解，得PVP溶胶，然后加入0.5‑5g偏钨酸铵，搅拌直至偏钨酸铵全部溶解，再加入0.02‑0.2g的乙酰丙酮铜，持续搅拌直至完全溶解，得前驱体溶胶；步骤2，旋涂制膜将上述前驱体溶胶旋涂在衬底上，然后在干燥箱中干燥，得初膜；步骤3，煅烧将初膜在空气气氛下煅烧，即得Cu₂O/CuO/WO₃异质结薄膜；其中，煅烧时升温速率为0.5‑2℃/min，煅烧温度为400‑600℃，保温时间为5‑10h。