[发明专利]半导体结构、其制造方法及半导体制造装置有效
| 申请号： | 201611114132.2 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106992146B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 林翔伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据一些实施例，本发明提供了一种制造半导体结构的方法。方法包括：在衬底上方形成第一低k介电层；在第一低k介电层中形成第一和第二金属部件；在第一低k介电层中形成第一沟槽，第一沟槽跨越在第一和第二金属部件之间；对于第一低k介电层的位于第一沟槽中的侧壁执行紫外线(UV)处理；在第一沟槽中形成第一蚀刻停止层；以及在第一蚀刻停止层上沉积第二低k介电层，从而在第一沟槽中形成气隙，本发明还提供了半导体结构的制造方法及半导体制造装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种制造半导体结构的方法，包括：在衬底上方形成第一低k介电层；在所述第一低k介电层中形成第一金属部件和第二金属部件；在所述第一低k介电层中形成第一沟槽，所述第一沟槽跨越在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间；对所述第一低k介电层的位于所述第一沟槽中的侧壁执行紫外线(UV)处理；在所述第一沟槽中形成第一蚀刻停止层；以及在所述第一蚀刻停止层上沉积第二低k介电层，从而在所述第一沟槽中形成气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
