[发明专利]激光退火装置及方法有效
| 申请号： | 201611110318.0 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN106409733B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张紫辰;王晓峰;潘岭峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的激光退火装置及方法，包括激光器，用于发射激光，形成所述激光退火装置需要的光源；光学系统，用于将所述激光器发射的激光整形为线形平顶光斑后，发射到样品表面；样品位移系统，用于盛放所述样品，并调整所述样品的位置。通过选择合适的激光波长可以使得有效加热深度位于样品表面以下数纳米至微米之间，提高了杂质的有效激活率，修复了器件在离子注入过程中带来的损伤，从而降低样品材料的方块电阻以及器件功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种激光退火装置，其特征在于，包括：激光器，用于发射激光，形成所述激光退火装置需要的光源；光学系统，用于将所述激光器发射的激光整形为线形平顶光斑后，发射到样品表面；样品位移系统，用于盛放所述样品，并调整所述样品的位置；所述光学系统包括衍射光学元件和透镜，所述衍射光学元件用于将所述激光器发射的激光整形为线形平顶光斑，所述透镜用于将所述线形平顶光斑发射到样品表面；其中，按照不同样品的尺寸通过调节所述衍射光学元件的刻蚀区域的尺寸来调节所述线形平顶光斑的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
