[发明专利]半导体元件结构在审
| 申请号： | 201611108883.3 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107180786A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李劭宽;黄心岩;陈海清 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52;H01L23/535 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体元件结构及其形成方法。半导体元件结构包括半导体基底及位于半导体基底上的介电层。介电层具有保护区域及较下部分，较下部分介于保护区域与半导体基底之间。保护区域较介电层的较下部分包含更多的碳。半导体元件结构还包括导电部件。导电部件穿过保护区域，且导电部件的较低部分由介电层的较下部分所围绕。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体元件结构，包括：一半导体基底；一介电层，位于该半导体基底之上，其中该介电层具有一保护区域及一较下部分，该较下部分介于该保护区域与该半导体基底之间，其中该保护区域较该介电层的该较下部分包含更多的碳；以及一导电部件，穿过该保护区域，其中该导电部件的一较低部分由该介电层的该较下部分所围绕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
