[发明专利]一种PVD法制备二硫化钨纳米薄膜的方法在审
| 申请号： | 201611106199.1 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106756782A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 田幼华 | 申请（专利权）人： | 燕园众欣纳米科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100080 北京市海淀区海淀大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体纳米材料制造类，特征在于采用物理气相沉积(PVD)方法，以二硫化钨粉末为反应源，以二氧化硅/硅为衬底，在460‑470Pa气压下经900℃‑1000℃高温加热后冷却得到。本发明中，纯度为99％的二硫化钨粉末装入陶瓷舟中，被置于水平石英管炉的热区中心，300nm厚的二氧化硅/硅衬底置于顺着气流下方14‑17cm远的位置。排尽空气后，反应源在40分钟内从室温加热到900℃‑1000℃并维持30分钟到1小时，然后自然冷却至室温。利用该方法可以在衬底上得到单层的二硫化钨纳米薄膜，形貌可精确控制为正三角型。本发明简单易行，便于大规模生产，安全，环保无毒，制备的二硫化钨薄膜可有效地应用于光电、数据存储器件和机械加工产业。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvd 法制 硫化 纳米 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种二硫化钨纳米薄膜的制备方法。其特征在于，采用物理气相沉积(PVD)方法，以二硫化钨粉末为反应源在低真空(460‑470Pa)的条件下经900℃‑1000℃高温加热后冷却得到。
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