[发明专利]一种二次电子发射薄膜的缓冲层及其制备方法有效
| 申请号： | 201611097342.5 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106637079B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 胡文波;李洁;吴胜利;魏强;华星;郝玲 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;H01J43/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二次电子发射薄膜的缓冲层及其制备方法。制备掺入金属材料的氧化镁复合薄膜二次电子发射源时，先在金属基底上采用溅射镍靶或溅射氧化镍靶方式沉积一层氧化镍缓冲层，然后再在氧化镍缓冲层之上沉积掺入金属材料的氧化镁复合薄膜。沉积氧化镍缓冲层时，金属基底的温度设置为200‑400℃，镀膜腔中同时通入氩气和氧气或只通入氩气，气压为0.1‑1Pa。氧化镍缓冲层的厚度为5‑90nm，氧化镍晶粒尺寸为3‑20nm。在金属基底上沉积氧化镍缓冲层，有助于在随后沉积掺入金属材料的氧化镁复合薄膜时，减小金属沉积对氧化镁晶粒生长的抑制作用，促进氧化镁晶粒生长，可提高该复合薄膜的二次电子发射性能。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 氧化镍 沉积 复合薄膜 二次电子发射 金属材料 金属基 氧化镁 掺入 制备 氧化镁晶粒 氩气 溅射 薄膜 二次电子发射性能 晶粒 金属沉积 温度设置 镀膜腔 生长 减小 镍靶 气压 氧气 | ||
【主权项】：
1.一种二次电子发射薄膜的缓冲层的制备方法，其特征在于：制备掺入金属材料的氧化镁复合薄膜二次电子发射源时，先对待沉积薄膜的金属基底(1)进行清洗处理，然后在金属基底(1)上采用溅射法沉积一层氧化镍缓冲层(2)，氧化镍缓冲层(2)的厚度为5‑90nm，氧化镍晶粒尺寸为3‑20nm，掺入金属材料的氧化镁复合薄膜(3)沉积于氧化镍缓冲层(2)之上。
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