[发明专利]一种制备超平整石墨烯的方法

摘要

本发明公开了一种制备超平整石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：对铜箔进行抛光后退火至所述铜箔取向占优的晶面为(111)，再进行石墨烯的生长，停止生长得到所述平整石墨烯。本发明采用平整铜箔的(111)晶面以及合适的化学反应窗口制备了超平整石墨烯。超平整石墨烯的平整度达到0.5nm，远优于普通铜箔上生长的石墨烯。利用该方法所得超平石墨烯具有优于粗糙石墨烯的抗腐蚀性能。

主权项

1.一种制备平整石墨烯的方法，包括如下步骤：对铜箔进行抛光后退火至所述铜箔取向占优的晶面为（111），再进行石墨烯的生长，停止生长得到所述平整石墨烯；所述铜箔为平整且没有局部粗糙度的铜箔；所述抛光步骤中，抛光方法为电化学抛光；所述退火步骤中，退火气氛为氢气气氛；氢气的流量为10‑300sccm；温度为950‑1050℃；时间为30‑60min；所述石墨烯的生长步骤中，碳源气体选自甲烷、乙烯和乙炔中的至少一种；氢气与所述碳源气体的流量比不大于100：1；氢气的流量为10‑300sccm；碳源气体的流量为1‑100 sccm；生长时间为10‑100min。