[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611094345.3 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106992209B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 中山知士;川口宏 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/49;H01L21/335;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体器件及其制造方法。在使用氮化物半导体的半导体器件中，防止MISFET具有降低的可控性，这在构成MISFET的栅极电极的钨膜具有拉伸应力时会发生。通过具有相对小的晶粒尺寸并且不具有拉伸应力的晶粒的钨膜，形成具有AlGN/GaN异质结的MISFET的栅极电极。钨膜的晶粒的晶粒尺寸小于构成栅极电极并形成在钨膜下方的势垒金属膜的晶粒的晶粒尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层形成在所述衬底之上；第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层形成在所述第一氮化物半导体层之上，并且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙宽的带隙；绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述第二氮化物半导体层之上；沟槽，所述沟槽贯穿所述绝缘膜和所述第二氮化物半导体层并到达所述第一氮化物半导体层的中间；和栅极电极，所述栅极电极经由栅极绝缘膜形成在所述沟槽中以及所述绝缘膜之上，其中，所述栅极电极具有导电膜和形成在所述导电膜之上的钨膜，以及其中，构成所述钨膜的第一晶粒的晶粒尺寸小于构成所述导电膜的第二晶粒的晶粒尺寸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611094345.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
