[发明专利]一种应用于IGBT的整形保护电路

摘要

本发明提出了一种应用于IGBT的整形保护电路，该整形保护电路包括两部分：IGBT过流保护和驱动整形。IGBT过流保护电路包括VCE电压检测电路、保护使能电路和与门；驱动整形电路包括滤除干扰短脉冲和整形为矩形波电路、硬件互锁电路、IGBT开通延时电路。过流保护电路使能电路避免IGBT在开通初期因VCE电压较高而误动作，软件延时避免IGBT瞬时过流时保护电路误动作，增强IGBT工作时稳定性；通过在硬件上互锁和延时双重保护，避免IGBT上下桥直通。本发明设计的电路结构简单，功能全面，信号传输延时短，可靠性高，成本低。

主权项

1.一种应用于IGBT的整形保护电路，其特征在于包括两组结构相同的过流保护使能电路、VCE检测电路、与门、滤除干扰短脉冲和整形为矩形波电路、IGBT开通延时电路，同时还包括一个硬件互锁电路和具有上、下桥臂的IGBT电路；上、下桥臂的PWM信号通过各自对应的滤除干扰短脉冲和整形为矩形波电路后进入硬件互锁电路，经过硬件互锁电路后进入各自对应的IGBT开通延时电路，延时后的PWM信号进入IGBT电路对其上、下桥臂进行驱动；过流保护使能电路采集延时后的PWM信号，其输出信号进入与门的一端，VCE检测电路检测IGBT发射极和集电极的压差，其输出信号进入与门的另一端，与门输出端连接外部的控制器；所述过流保护使能电路包括第一电阻(R6)、第二电阻(R7)、第三电阻(R8)、第一三极管(Q1)、第一电源、第一电容(C1)和光耦(U3)，所述光耦(U3)包括发光二极管和光敏三极管，所述发光二极管的阳极接收PWM1或PWM2信号，发光二极管的阴极接地，光敏三极管的集电极通过第一电阻(R6)连接外接电源Vd的正极，光敏三极管的发射极连接第一三极管(Q1)的基极，第一三极管(Q1)的集电极连接第三电阻(R8)的一端，第三电阻(R8)的另一端连接第二电阻(R7)的一端，第二电阻(R7)的另一端连接第一电源的正极，第一电源的负极接地，并与第一三极管(Q1)的发射极连接，第一电容(C1)并接在第三电阻(R8)上，第二电阻(R7)、第三电阻(R8)和第一电容(C1)的公共端连接到所述与门的一个输入端。