[发明专利]消除电子束扫描导致的缺陷的方法有效
| 申请号： | 201611087812.X | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449385B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;蔡坤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除电子束扫描导致的缺陷的方法，提供一晶圆，所述晶圆进行过第一次电子束扫描工艺；对经过第一次电子束扫描工艺的晶圆进行表面处理工艺，直至将位于所述晶圆表面的残留电荷消除，具体地，这种表面处理工艺包括将晶圆进行第二次电子束扫描、放入真空腔体静置，然后对晶圆进行热处理和使用离子溶液对晶圆表面进行清洗这两种工艺的至少一种。使用上述方法能够使晶圆表面的残留电荷被消除或者使电荷重新有序排列，不用破坏晶圆的结构，简单方便，能有效提高晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 电子束 扫描 导致 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种消除电子束扫描导致的缺陷的方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆进行过第一次电子束扫描工艺；对经过第一次电子束扫描工艺的晶圆进行表面处理工艺，直至将位于所述晶圆表面的残留电荷消除，所述表面处理工艺包括以下步骤：步骤一：对进行过第一次电子束扫描工艺的所述晶圆进行第二次电子束扫描工艺，所述第二次电子束扫描工艺中扫描模式采用的电子束电势与所述第一次电子束扫描工艺中扫描模式采用的电子束电势相反；步骤二：将步骤一形成的晶圆静置在真空腔体中；步骤三：对步骤二形成的晶圆进行离子溶液的清洗工艺和/或热处理工艺。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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