[发明专利]一种通过结形貌改善闪存耐久性的方法

摘要

一种通过结形貌改善闪存耐久性的方法，其包括将2T嵌入式闪存单元阵列中形成内部结后的硅片旋转90度，使离子注入沿存储管和选择管栅极方向；同时倾斜离子注入角度，其利用隔离区高度的阴影效应使内部结的注入远离隔离区；进行第一次离子注入；将2T嵌入式闪存单元阵列中形成内部结后的硅片再旋转90度，还是使离子注入沿存储管和选择管栅极方向；同时也倾斜离子注入角度；进行第二次离子注入，从而减小编程和擦除过程中的界面态的影响，提高闪存单元的耐久性。

主权项

一种通过结形貌改善闪存耐久性的方法，用于2T嵌入式闪存单元阵列对于内部结形成是使用离子注入来形成的工艺步骤中；其中，所述2T嵌入式闪存结构除了包含存储管和选择管外，在所述存储管和选择管二者之间还包含共用的内部结，所述内部结用作所述存储管的漏端，承接从所述选择管到所述存储管的电压转移；其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：将2T嵌入式闪存单元阵列中形成内部结后的硅片旋转90度，使离子注入沿所述存储管和选择管栅极方向；同时倾斜离子注入角度；步骤S2：进行第一次离子注入；步骤S3：将2T嵌入式闪存单元阵列中形成内部结后的硅片在步骤S1的位置上再旋转90度，还是使离子注入沿所述存储管和选择管栅极方向；同时也倾斜离子注入角度；步骤S4：进行第二次离子注入，从而减小编程和擦除过程中的界面态的影响。