[发明专利]一种对存储阵列进行刷盘的方法和装置有效
| 申请号： | 201611081084.1 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108132756B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 黄颖骅;张绍谦;王成;展昭臣;王工艺 | 申请（专利权）人： | 成都华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 罗振安 |
| 地址： | 610041 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对存储阵列进行刷盘的方法和装置，属于计算机技术领域。所述方法包括：获取目标存储阵列对应的第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时读写IO数目；根据预先存储的刷盘时延、超时IO数目和调整系数的对应关系，以及所述第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时IO数目，确定对应的第一调整系数；根据所述第一调整系数，以及第二历史刷盘周期内的刷盘速率，确定目标刷盘速率；基于所述目标刷盘速率，对所述目标存储阵列进行刷盘处理。采用本发明，可以提高刷盘的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 阵列 进行 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种对存储阵列进行刷盘的方法，其特征在于，所述方法包括：获取目标存储阵列对应的第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时读写IO数目；根据预先存储的刷盘时延、超时IO数目和调整系数的对应关系，以及所述第一历史刷盘周期内的刷盘时延和超时IO数目，确定对应的第一调整系数；根据所述第一调整系数，以及第二历史刷盘周期内的刷盘速率，确定目标刷盘速率；基于所述目标刷盘速率，对所述目标存储阵列进行刷盘处理。
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