[发明专利]一种长寿命的LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201611081039.6 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449919B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王海燕 | 申请（专利权）人： | 东海县晶瑞达石英制品有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 刘艳玲 |
| 地址： | 222300 江苏省连*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种长寿命的LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底，所述衬底上自下而上依次形成的外延层、电流阻挡层、透明导电膜以及P电极，其中所述外延层包括缓冲层、N型半导体层、发光层以及P型半导体层，将所述P型半导体层一侧刻蚀至所述N型半导体层，形成台阶，N电极形成在所述台阶上，在所述台阶上形成凹槽，所述凹槽内填充n层电导率大于N型半导体的导电介质层，n为大于1的整数，并且所述n层导电介质层自上而下电导率依次增加，所述N电极形成在所述凹槽外的靠近边缘一侧的台阶上。本发明有效改善局部电流过大问题，提高芯片寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 寿命 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种长寿命的LED芯片，包括：衬底，所述衬底上自下而上依次形成的外延层、电流阻挡层、透明导电膜以及P电极，其中所述外延层包括缓冲层、N型半导体层、发光层以及P型半导体层，将所述P型半导体层一侧刻蚀至所述N型半导体层，形成台阶，N电极形成在所述台阶上，其特征在于：在所述台阶上形成凹槽，所述凹槽内填充n层电导率大于N型半导体的导电介质层，n为大于1的整数，并且n层导电介质层自上而下电导率依次增加，所述N电极形成在所述凹槽外的靠近边缘一侧的台阶上。
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