[发明专利]一种具有中空结构的铜钴硫微球电极材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种具有中空结构的铜钴硫微球电极材料制备方法。以异丙醇和乙二醇为混合溶剂，将Cu(NO₃)₃·3H₂O，Co(NO₃)₂·6H₂O和硫脲以1:2:4～10摩尔比加入该混合溶剂中，搅拌使其形成澄清溶液；溶液装入反应釜在烘箱中180℃反应一段时间，然后将反应产物清洗、干燥，将前驱体放入管式炉中热处理；得到具有中空结构的CuCo₂S₄微球；用擀片法中空CuCo₂S₄微球制作成电极。应用于超级电容器电极材料具有较高的比容量，达到1008.33F/g，在大电流放电条件下20A/g仍能够有725F/g，具有良好的循环寿命，在5A/g条件下循环5000圈仍能够达到初始容量的66.2％。

主权项

1.一种具有中空结构的铜钴硫微球电极材料制备方法，其特征是步骤如下：(1)室温下，量取异丙醇和乙二醇混合磁力搅拌，形成均匀溶剂；(2)在搅拌条件下，将Cu(NO3)3·3H2O，Co(NO3)2·6H2O和硫脲按照1：2：4～10摩尔比加入到步骤(1)中得到的均匀溶剂中，其中溶质与溶剂的质量比为1:48～74，持续搅拌使其形成澄清溶液，将其转移至反应釜中，置于烘箱中180℃反应，然后冷却至室温得到反应产物；将所得的反应产物依次离心、洗涤和干燥得到前驱体；(3)然后将前驱体其放入管式炉中，在氮气中程序升温热处理，热处理温度为300～400℃；最终得到具有中空结构的CuCo2S4微球；(4)将步骤(3)中的中空的CuCo2S4微球用擀片法制作成电极；制作成电极的步骤为：将中空的CuCo2S4微球、导电剂Super P、粘结剂PTFE按照质量比8:1:1搅拌均匀，用擀片法擀成圆片压在泡沫镍集流体上；将制作成的电极放入70℃烘箱中干燥不少于12小时。