[发明专利]阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201611076206.8 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108123032B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 陈卓凡;张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置，该阻变随机存储器存储单元包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层，在所述层间介电层中形成沟槽以及分别位于所述沟槽两侧的第一左电极和第一右电极；在所述沟槽的侧壁上形成阻变层；在所述沟槽形成第二电极，以形成所述阻变随机存储器存储单元。该阻变随机存储器存储单元可以实现多电平，具有改善的工作窗口和存储密度。该阻变随机存储器存储单元的制作方法可以提高器件存储密度和工作窗口。该电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 随机 存储器 存储 单元 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层，在所述层间介电层中形成沟槽以及分别位于所述沟槽两侧的第一左电极和第一右电极；在所述沟槽的侧壁上形成阻变层；在所述沟槽内形成第二电极，以形成所述阻变随机存储器存储单元。
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