[发明专利]MTJ器件的制作方法有效
| 申请号： | 201611075608.6 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108123029B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 喻涛;左正笏;陈志刚;谷勋;刘瑞盛 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡;吴贵明 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种MTJ器件的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在衬底表面上设置功能膜，形成预成品，功能膜包括MTJ膜；步骤S2，在功能膜的远离衬底的表面上设置离子注入掩膜材料，并对离子注入掩膜材料进行图形化处理得到离子注入掩膜；步骤S3，对设置有离子注入掩膜的预成品依次进行氧离子注入与退火，在离子注入掩膜之外的区域形成氧离子注入膜；步骤S4，去除氧离子注入膜，形成凹陷；步骤S5，在凹陷内设置介电材料，且使介电材料和离子注入掩膜的远离衬底的表面在同一平面，其中，介电材料的介电常数在1.4～7.0之间。该制作方法制作得到的MTJ器件的介电常数较小，使得MRAM芯片的运算速度较快。 | ||
| 搜索关键词： | mtj 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MTJ器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，在衬底表面上设置功能膜，形成预成品，所述功能膜包括MTJ膜；步骤S2，在所述功能膜的远离所述衬底的表面上设置离子注入掩膜材料，并对所述离子注入掩膜材料进行图形化处理，得到离子注入掩膜；步骤S3，对设置有所述离子注入掩膜的所述预成品依次进行氧离子注入与退火，在所述离子注入掩膜之外的区域形成氧离子注入膜；步骤S4，去除所述氧离子注入膜，所述氧离子注入膜对应的位置处形成凹陷；以及步骤S5，在所述凹陷内设置介电材料，且使所述介电材料和所述离子注入掩膜的远离所述衬底的表面在同一平面，其中，所述介电材料的介电常数在1.4～7.0之间。
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