[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611074867.7 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106972054B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括至少一个半导体鳍、栅电极、至少一个栅极间隔件和栅极电介质。该半导体鳍包括至少一个凹进部分和至少一个沟道部分。栅电极存在于半导体鳍的至少沟道部分上。栅极间隔件存在于栅电极的至少一个侧壁上。栅极电介质至少存在于半导体鳍的沟道部分和栅电极之间。栅极电介质比半导体鳍的沟道部分的至少一个端面延伸更远。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n至少一个半导体鳍，包括至少一个凹进部分和至少一个沟道部分；/n栅电极，存在于所述半导体鳍的至少所述沟道部分上；/n至少一个栅极间隔件，存在于所述栅电极的至少一个侧壁上；以及/n栅极电介质，至少存在于所述半导体鳍的所述沟道部分和所述栅电极之间，其中，所述栅极电介质比所述半导体鳍的所述沟道部分的至少一个端面延伸更远；以及/n至少一个外延结构，存在于所述半导体鳍的所述凹进部分上并且与所述半导体鳍的所述沟道部分接触，/n其中，所述栅极电介质具有相对的内侧壁，所述内侧壁和所述半导体鳍的所述沟道部分的所述端面限定凹槽，并且所述外延结构至少部分地存在于所述凹槽中。/n
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