[发明专利]一种提高钛镍铜形状记忆合金薄膜驱动特性的制备方法在审
| 申请号： | 201611073240.X | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108118302A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王国斌 | 申请（专利权）人： | 王国斌 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 114000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种提高钛镍铜形状记忆合金薄膜驱动特性的制备方法，本发明中利用磁控溅射方法制备TiNiCu薄膜，获得提高薄膜驱动性能的参数为：在溅射功率150W、溅射压强0.6Pa下所获得的TiNiCu薄膜650℃真空退火1h后薄膜已经完全晶化，薄膜都己形成晶态结构。晶化热处理后的TiNiCu薄膜发生了加热过程中的马氏体向奥氏体的转变和冷却过程中的奥氏体向马氏体的转变，马氏体相变开始温度Ms为331K，结束温度Mf为318K，奥氏体相变开始温度As为329K，结束温度Af为340K，薄膜的相变滞后约为1lK。通过对薄膜进行驱动特性分析，薄膜显示出了较好的双向变形特性和较大的位移。薄膜的最大数值位移可达92μm。对于利用磁控溅射方法制备TiNiCu薄膜确定了合理的工艺参数，得到理想的薄膜驱动特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制备 驱动特性 形状记忆合金薄膜 薄膜驱动 磁控溅射 奥氏体 马氏体 钛镍铜 压强 奥氏体相变 晶化热处理 马氏体相变 薄膜显示 变形特性 加热过程 溅射功率 晶态结构 冷却过程 真空退火 溅射 晶化 滞后 分析 | ||
【主权项】：
一种提高钛镍铜形状记忆合金薄膜驱动特性的制备方法，采用Si片和玻璃片作为基片，用去离子水进行清洗，洗去基片表面的灰尘，用丙酮在超声波清洗机中清洗15min，用去离子水洗干净后再用无水乙醇在超声波清洗机中清洗15rain再用去离子水洗干净，吹干之后准备溅射。
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