[发明专利]封装结构的形成方法

摘要

本公开的实施例提供封装结构及其形成方法，此方法包含提供第一集成电路晶粒并形成重布线结构于第一集成电路晶粒上方，形成基底层于重布线结构上方，基底层具有多个第一开口和多个第二开口，且第一开口宽于第二开口，形成多个第一凸块于重布线结构上方，第一凸块具有下部填入第一开口中。此外，此方法包含通过具有下部填入第二开口中的多个第二凸块将第二集成电路晶粒接合至重布线结构，在第二集成电路晶粒与基底层之间有一空间。此方法也包含形成模塑化合物层于基底层上方，模塑化合物层填入此空间中并围绕第一凸块和第二凸块。

主权项

一种封装结构的形成方法，包括:提供一第一集成电路晶粒；形成一重布线结构于该第一集成电路晶粒上方；形成一基底层于该重布线结构上方，其中该基底层具有多个第一开口和多个第二开口，且该些第一开口宽于该些第二开口；形成多个第一凸块于该重布线结构上方，其中该些第一凸块具有一下部填入该些第一开口中；通过多个第二凸块将一第二集成电路晶粒接合至该重布线结构，其中该些第二凸块具有一下部填入该些第二开口中，且在该第二集成电路晶粒与该基底层之间有一空间；以及形成一模塑化合物层于该基底层上方，其中该模塑化合物层填入该空间中并围绕该些第一凸块和该些第二凸块。