[发明专利]一种集成电路密封环在审
| 申请号： | 201611064890.8 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106449600A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 何云;刘桂芝 | 申请（专利权）人： | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路密封环，包括：衬底层；形成于所述衬底层中的掺杂区；形成于所述掺杂区上的介质层和金属层的叠层结构，各金属层及所述掺杂区通过连接孔实现电性连接；以及，形成于所述叠层结构中的电容器，所述电容器的第一极板及第二极板分别通过所述叠层结构中的金属层及缓冲区中的金属层与衬底及内部电路连接。本发明的集成电路密封环在不影响集成电路面积，亦不改变密封圈的功能和性能的情况下，在现有的集成电路密封环的结构上加以改进，使集成电路同时满足多晶硅的密度要求和增加滤波功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 密封 | ||
【主权项】：
一种集成电路密封环，其特征在于，所述集成电路密封环至少包括：衬底层；形成于所述衬底层中的掺杂区；形成于所述掺杂区上的介质层和金属层的叠层结构，各金属层及所述掺杂区通过连接孔实现电性连接；以及，形成于所述叠层结构中的电容器，所述电容器的第一极板及第二极板分别通过所述叠层结构中的金属层及缓冲区中的金属层与衬底及内部电路连接。
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