[发明专利]半导体装置及其制造方法、固体摄像装置以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201611064252.6 申请日: 2012-04-10
公开(公告)号: CN107068638B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 冈本正喜 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L27/146;H01L21/768
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;陈桂香
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及固体摄像装置以及包括该固体摄像装置的电子设备,所述固体摄像装置包括:第一晶片,其包括第一布线层;第二晶片,其包括第二布线层;第三晶片,其包括第三布线层;第一连接层,其布置在第一和第二晶片之间;第二连接层,其布置在第二和第三晶片之间;第一过孔,其从第一晶片布置至第二晶片,其中,第一过孔贯穿第一连接层;第二过孔,其布置在第二晶片中;第三过孔,其布置成穿过第二晶片并到达第三晶片,第三过孔贯穿第二连接层;以及连接部,其布置在第二晶片中,第一过孔电连接至第一布线层中的布线,且连接至第二晶片中的连接部。根据本发明,可对层叠有晶片的电路进行连接,同时抑制因形成过孔时的蚀刻对基板或布线造成的影响。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法 固体 摄像 以及 电子设备
【主权项】:
一种固体摄像装置,其包括:第一晶片,其包括像素阵列部和第一布线层,所述像素阵列部具有多个光电转换部;第二晶片,其包括第二布线层;第三晶片,其包括第三布线层;第一连接层,其布置在所述第一晶片与所述第二晶片之间;第二连接层,其布置在所述第二晶片与所述第三晶片之间;第一过孔,其从所述第一晶片布置至所述第二晶片,其中,所述第一过孔贯穿所述第一连接层;第二过孔,其布置在所述第二晶片中;第三过孔,其布置成穿过所述第二晶片并到达所述第三晶片,其中,所述第三过孔贯穿所述第二连接层;以及连接部,其布置在所述第二晶片中,其中,所述第一过孔电连接至所述第一布线层中的布线,且连接至所述第二晶片中的所述连接部,其中,所述第二过孔连接至所述第二晶片中的所述连接部,且连接至所述第二布线层中的布线,其中,所述第三过孔连接至所述第二晶片中的所述连接部,且连接至所述第三布线层中的布线,其中,所述第一过孔在所述连接部的第一区域处连接至所述连接部,所述第二过孔在所述连接部的第二区域处连接至所述连接部,且所述第三过孔在所述连接部的第三区域处连接至所述连接部,并且所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域在平面图中不彼此重叠。
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