[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法在审
| 申请号： | 201611057941.4 | 申请日： | 2016-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN106601883A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 吉亚莉;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子技术领域。该外延片包括依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，成核层包括交替层叠的SiN子层和AlxGa1‑xN子层，由于AlxGa1‑xN与蓝宝石衬底、GaN的晶格匹配较好，AlxGa1‑xN层和SiN层交替层叠形成超晶格结构，GaN和蓝宝石衬底之间的晶格失配度降低，晶格缺陷减少，晶格质量提高。LED的可靠性和稳定性得以提升。而且可以避免应力的产生，改善外延片的翘曲度，提高发光效率和抗静电能力。另外，SiN层可以提供电子，有利于电流的扩展，降低外延片的正向电压，进一步提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括蓝宝石衬底和依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，所述成核层包括交替层叠的SiN子层和AlxGa1‑xN子层，其中0＜x＜1。
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