[发明专利]一种高亮度发光二极管的芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高亮度发光二极管的芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括：在GaAs衬底的第一表面上依次外延生长N型限制层、有源层、P型限制层、GaP窗口层；在GaP窗口层上设置至少两个P型电极；在GaAs衬底的第二表面上的所有区域设置N型电极，得到芯片半成品；在GaP窗口层上沿芯片半成品外延生长的方向切割芯片半成品，形成从GaP窗口层延伸至GaAs衬底的切割道，切割道将芯片半成品分成至少两个芯片，每个芯片包括一个P型电极；通过切割道湿法腐蚀GaAs衬底，第一表面与第一表面的相邻表面的夹角从直角变成钝角；沿切割道的延伸方向劈裂芯片半成品，得到芯片。本发明提高了外量子效率。

主权项

1.一种高亮度发光二极管的芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在GaAs衬底的第一表面上依次外延生长N型限制层、有源层、P型限制层、GaP窗口层；在所述GaP窗口层上设置至少两个P型电极；在所述GaAs衬底的第二表面上的所有区域设置N型电极，得到芯片半成品，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；在所述GaP窗口层上沿所述芯片半成品外延生长的方向切割所述芯片半成品，形成从所述GaP窗口层延伸至所述GaAs衬底的切割道，所述切割道将所述芯片半成品分成至少两个芯片，每个芯片包括一个所述P型电极；通过所述切割道湿法腐蚀所述GaAs衬底，所述第一表面与所述第一表面的相邻表面的夹角从直角变成钝角；沿所述切割道的延伸方向劈裂所述芯片半成品，得到至少两个相互独立的芯片；所述在所述GaP窗口层上设置至少两个P型电极，包括：采用电子束蒸发技术在所述GaP窗口层上形成欧姆接触层；采用化学气相沉积技术在所述欧姆接触层上形成临时保护层；利用合金炉管对所述欧姆接触层进行高温处理，所述欧姆接触层在所述临时保护层的限制下渗入所述GaP窗口层形成欧姆接触；去除所述临时保护层，并采用电子束蒸发技术在所述欧姆接触层上形成打线粘结层；利用光刻技术和刻蚀技术去除部分的所述打线粘结层和所述欧姆接触层，所述GaP窗口层在欧姆接触的作用下变成粗化表面，留下的所述打线粘结层和所述欧姆接触层形成所述P型电极；或者，所述在所述GaP窗口层上设置至少两个P型电极，包括：采用电子束蒸发技术在所述GaP窗口层上形成欧姆接触层和打线粘结层；利用光刻技术和刻蚀技术去除部分的所述打线粘结层和所述欧姆接触层，形成所述P型电极；采用化学气相沉积技术在所述打线粘结层和所述GaP窗口层上形成临时保护层；利用合金炉管对所述欧姆接触层进行高温处理，所述欧姆接触层在所述临时保护层的限制下渗入所述GaP窗口层形成欧姆接触；去除所述临时保护层。