[发明专利]一种调节双向可控硅触发电流的工艺方法及双向可控硅

摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及调节双向可控硅触发电流的工艺方法，包括：硅片双面抛光、氧化、穿通光刻、穿通扩散、镓扩散、硼扩散、阴极光刻、阴极扩散、台面槽光刻、台面腐蚀、台面钝化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背面金属化，其特征在于，所述硼扩散于硅片背面的p型扩散区P1层和正面的p型扩散区P2层的扩散浓度不一致。可以改善双向可控硅四个象限的触发电流，双向可控硅四个象限触发电流的一致性强，可以有效的提高器件的换向能力，降低器件对线路的电磁干扰。

主权项

1.一种调节双向可控硅触发电流的工艺方法，包括：硅片双面抛光、氧化、穿通光刻、穿通扩散、镓扩散、硼扩散、阴极光刻、阴极扩散、台面槽光刻、台面腐蚀、台面钝化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背面金属化，其特征在于，所述硼扩散于硅片背面的p型扩散区P1层和正面的p型扩散区P2层的扩散浓度不一致；所述硼扩散包括硼预扩散一、硼预扩散二和硼再扩散；所述硼预扩散一为背面氧化层保护，正面腐蚀氧化层，正面硼预扩散；所述硼预扩散二为在硼预扩散一的基础上，腐蚀背面氧化层，背面硼预扩散；所述硅片背面的p型扩散区P1层位于硅基体与电极T2之间，所述正面的p型扩散区P2层为硅基体与电极T1和G之间，背面的p型扩散区P1层的浓度低于正面的p型扩散区P2层的硼扩散浓度；所述正面P2层的硼预扩散温度为1040±2℃，预扩散时间为3±0.5h，方块电阻为6～8Ω/□；所述背面P1层的硼预扩散温度为1020±2℃，预扩散时间为2±0.5h，方块电阻为10～12Ω/□；所述正面P2层和背面P1层的硼再扩散温度为1250℃，再扩散时间为8±2h。