[发明专利]一种超宽光谱光敏材料和应用该光敏材料的光电探测器有效
申请号: | 201611046705.2 | 申请日: | 2016-11-23 |
公开(公告)号: | CN106601837B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 吴东;牛营营 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/0272 | 分类号: | H01L31/0272;H01L31/0328;H01L31/08;C01B19/00 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 张玲春 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种超宽光谱光敏材料,包括Eu‑Sb‑Te三元碲化物晶体或者Eu‑Bi‑Te三元碲化物晶体。本发明还公开了一种应用该超宽光谱光敏材料的光电探测器,包括有可光电转换的感光单元,感光单元的两端均设有金属电极,感光单元的制备材料包括有前述的超宽光谱光敏材料。对于本发明,所述超宽光谱光敏材料可以在从紫外、可见、红外直至太赫兹的超宽波段范围实现光电转换,且适用温度范围广;所述的光电探测器不仅可以覆盖从紫外、可见、红外直至太赫兹的超宽波段范围的光探测,而且工作温度区间为77K~400K,此外,该光电探测器结构简单,有利于结合晶体生长技术、薄膜制备等技术进行大规模集成,制作方便,在有效提高探测器性能的前提下,其制备成本得以显著降低。 | ||
搜索关键词: | 光敏材料 超宽光谱 光电探测器 感光单元 超宽波段 光电转换 碲化物 光电探测器结构 工作温度区间 晶体生长技术 大规模集成 薄膜制备 金属电极 制备材料 制作方便 光探测 探测器 制备 应用 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种超宽光谱光敏材料,其特征在于:所述光敏材料包括有Eu‑Sb‑Te三元碲化物晶体或者Eu‑Bi‑Te三元碲化物晶体;所述Eu‑Sb‑Te三元碲化物晶体的组分为EuSbx1Tey1,x1的取值范围为0.7~1,y1的取值范围为2.9~3.3;所述Eu‑Sb‑Te三元碲化物晶体、所述Eu‑Bi‑Te三元碲化物晶体的晶系结构均属于正交晶系,空间群均为Pmmn;所述Eu‑Bi‑Te三元碲化物晶体的组分为EuBix2Tey2,x2的取值范围为0.7~1,y2的取值范围为2.9~3.3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611046705.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的