[发明专利]一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法有效
| 申请号： | 201611046617.2 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106744670B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 巣炎;刘先欢;姚安琦;王志权 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种硅表面纳米结构的可控性加工方法，其包括如下步骤：步骤一，对硅片进行贵金属涂；步骤二，制备硅纳米结构：一反应釜中盛入蚀刻溶液，反应釜设置电场发生装置以及磁场发生装置；步骤一的硅片置入反应釜且浸入所述的蚀刻溶液，先启动电场发生装置，后启动磁场发生装置，反应设定时间后，制得硅纳米结构。本发明操作简单方便，能够克服晶向力、溶液黏性阻力控制腐蚀方向，可重复性高，制备硅纳米结构效率高，便于大规模使用生产。本发明制备的硅纳米结构在微电子、光电子、太阳能电池以及传感器等领域具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 硅纳米结构 制备 反应釜 磁场发生装置 电场发生装置 蚀刻溶液 硅片 硅表面加工 太阳能电池 贵金属 浸入 电磁耦合 腐蚀方向 可重复性 纳米结构 黏性阻力 硅表面 可控性 传感器 光电子 晶向 置入 微电子 加工 应用 生产 | ||
【主权项】：
1.一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，其特征是按如下步骤：步骤一，对硅片进行贵金属涂层；步骤二，制备硅纳米结构：一反应釜中盛入蚀刻溶液，反应釜设置电场发生装置以及磁场发生装置；步骤一的硅片置入反应釜且浸入所述的蚀刻溶液，先启动电场发生装置，后启动磁场发生装置，反应设定时间后，制得硅纳米结构；所述的反应釜包括筒状铁芯，铁芯具有内部容纳区，铁芯的外壁缠绕有漆包线圈，形成所述的磁场发生装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611046617.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多功能液体加注系统
- 下一篇：硼氢化钠醇解制氢多床层反应装置
