[发明专利]一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201611045890.3 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN106601880B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、有源层和P型层，所述有源层由若干InGaN量子点组成。本发明通过由若干InGaN量子点组成有源层，InGaN量子点可以阻断原位生长形成的缺陷和位错继续延伸，解决外延生长导致的应力和极化带来的不良影响，提升LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、有源层和P型层，其特征在于，所述有源层由若干InGaN量子点组成；所述InGaN量子点吸附在载体层上，所述载体层铺设在所述N型层上，所述载体层的材料采用ZnO、TiO2、GaN、GaO中的一种或多种，所述载体层中掺杂有Al、Sn、In、Ni中的一种或多种。
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