[发明专利]一种图像传感器的制造方法在审
| 申请号： | 201611044952.9 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106505074A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王汉清 | 申请（专利权）人： | 南通沃特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/552 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226300 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种图像传感器的制造方法，包括（1）提供第一衬底，所述第一衬底包括具有第一光接收区的正面和与所述正面相对的背面；（2）提供硅基板，所述硅基板包括具有凹槽的正面和与所述正面相对的背面；（3）将所述第一衬底的背面与所述硅基板的正面通过一层铁钴合金层键合；（4）提供第二衬底，设置于所述凹槽底部，所述第二衬底包括具有第二光接收区的正面和与所述正面相对的背面，所述第二衬底的正面与所述硅基板的背面共面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器的制造方法，包括：（1）提供第一衬底，所述第一衬底包括具有第一光接收区的正面和与所述正面相对的背面；（2）提供硅基板，所述硅基板包括具有凹槽的正面和与所述正面相对的背面；（3）将所述第一衬底的背面与所述硅基板的正面通过一层铁钴合金层键合；（4）提供第二衬底，设置于所述凹槽底部，所述第二衬底包括具有第二光接收区的正面和与所述正面相对的背面，所述第二衬底的正面与所述硅基板的背面共面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
