[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611040773.8 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108091630B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 许谢慧娜;曾笑梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/48 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：基底，在所述基底中形成有钨插塞；部分位于所述钨插塞上的金属导线，所述金属导线与所述钨插塞之间形成有衬垫层。与现有工艺相比，本发明提出的半导体器件，可避免其中的钨插塞发生金属原电池腐蚀，有效提高器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 钨插塞 金属导线 基底 衬垫层 原电池 良率 制造 腐蚀 金属 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n基底，在所述基底中形成有钨插塞；/n位于所述钨插塞上的金属导线，所述金属导线与所述钨插塞之间形成有衬垫层，所述衬垫层以及所述金属导线位于所述钨插塞上但并未完全覆盖所述钨插塞，所述衬垫层的材料为钨。/n
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