[发明专利]一种阶梯场离子迁移管有效

专利信息
申请号: 201611040326.2 申请日: 2016-11-21
公开(公告)号: CN108091537B 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 陈创;陈红;黄卫;王卫国;李海洋 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: H01J49/02 分类号: H01J49/02;H01J49/40
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及离子迁移谱仪器中的离子迁移管,具体地说是一种离子迁移区内部电场呈阶梯状减弱的离子迁移管。其特征在于,该离子迁移区电场由方向相同、场强依次按相同差值减弱的直流电场构成。这种直流电场构成方式,可以充分利用电场差异对离子团的时空聚焦效应,提高离子迁移谱的灵敏度和分辨能力。
搜索关键词: 一种 阶梯 离子 迁移
【主权项】:
1.一种阶梯场离子迁移管,其特征在于:离子迁移区内部的电场由方向相同、依次按相同差值减弱的直流电场构成,于离子迁移管内部形成电场为阶梯电场的筒状离子迁移区;于离子迁移管内设有由M个以上的环状导电极片和M-1个以上的环状绝缘极处依次交替同轴叠合构成中空筒体结构,筒体内的中空处即为柱状的离子迁移区,离子迁移区处于离子源和离子接受极之间;M为大于等于4的正整数;离子迁移区内部的电场由方向相同、呈相同差值依次减弱的直流电场构成是指:沿电离源至离子接受极的方向,所述第一导电极片与第二导电极片之间施加第一直流电场,于所述第二导电极片与第三导电极片之间施加第二直流电场,于所述第三导电极片与第四导电极片之间施加第三直流电场,……于所述第M-1导电极片与第M导电极片之间施加第M-1直流电场;第一直流电场与第二直流电场的差值等于第二直流电场与第三直流电场的差值、……等于第M-2直流电场与第M-1直流电场的差值;第一直流电场、第二直流电场、第三直流电场……第M-1直流电场的方向相同。
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