[发明专利]一种基于NandFlash的数据存储方法

摘要

本发明公开了一种基于NandFlash的数据存储方法，将NandFlash划分为两个同样大小数据存储区、一个坏块区、一个备用数据区，并建立相应的映射表，在数据存储区出现坏块时，可以用备用数据区的可用块替代坏块。定义数据结构为4字节索引、2字节标志位、用户数据、2字节CRC16，可以迅速定位到下一条数据记录，保证数据存储的可靠性，并且对数据的操作可以通过重写标志位的方法进行数据删除操作。本发明可以广泛用于广泛地用于中小型嵌入式系统中需要进行数据存储与数据检索的场合，具有访问速度块，存储效率高，可靠性好的特点。

主权项

一种基于NandFlash的数据存储方法，其特征在于，包括以下步骤：1）设计数据存储的数据结构；所述数据结构为：WritePtr——下一条数据记录的写指针；ValidFlag——数据有效标志；UserData——用户数据；CRC——CRC16校验；左侧为字段，右侧为字段所指代的含义；2）对 Nandflash的坏块进行检测；3）设计数据存储映射；数据存储映射具体为：检测NandFlash的坏块，建立坏块映射表，将NandFlash的可用块划分为两个相同大小的数据存储区与一个备用数据区，建立两个数据存储区映射表与一个备用数据区映射表；4）进行数据存储，具体如下：4‑1）分配每一种数据的存储空间，存储空间在两个数据存储区同时分配，两个数据存储区定义为数据存储区1与数据存储区2，为此每种数据配置一条索引表，索引表的数据结构为：InitFlag——索引表初始化标识；StartBlock——起始块号；EndBlock——结束块号；BlockSize——块大小；RecordLen——一条数据记录大小；DataLength——有效数据总长度；WritePtr1——写指针1；WritePtr2——写指针2；左侧为字段，右侧为字段所指代的含义；4‑2）读取数据索引表，然后判断索引表的有效性，如果索引表无效，则进行索引表初始化，如果索引表的有效，然后判断是否数据存储同步；4‑3）如果是，则判断数据写指针是否为块首地址，如果为块首地址则先进行擦除，然后将用户数据及校验写入两个缓冲区；4‑4）如果NandFlash进行数据写入失败，则标记当前块为坏块，然后更新坏块映射表，从备用数据区分配一个缓冲区到数据存储区，再更新备用数据区映射表与数据存储区映射表，然后重新写入；4‑5）每个数据存储区写入成功后更新数据索引表的写指针。