[发明专利]具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器有效
| 申请号： | 201611038820.5 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN107026180B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李岳川;陈嘉展;施俊吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。硅锗层邻接于硅层。光检测器布置在所述硅锗层中。晶体管，布置在所述硅层上，同时源/漏区埋置在所述硅层的表面内且电连接至所述光检测器。本发明的实施例还提供了用于制造CMOS图像传感器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 互补 金属 氧化物 半导体 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，包括：硅层，邻接硅锗层；光检测器，布置在所述硅锗层中；以及晶体管，布置在所述硅层上，所述晶体管具有埋置在所述硅层的表面内且电连接至所述光检测器的源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
