[发明专利]一种具有石墨烯层的氮化镓基光电器件外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201611033181.3 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN106340575A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陈铭胜;武良文 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 241000 安徽省芜*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有石墨烯层的氮化镓基光电器件外延结构，包括衬底，所述衬底上叠加的设置氮化物缓冲层、非故意掺杂氮化镓层和第一N型氮化镓层；再在第一N型氮化镓层一侧表面上叠加的设置有源层、P型氮化镓层、ITO导电层和P电极；在第一N型氮化镓层另一侧表面上设置与P电极绝缘的N电极；非故意掺杂氮化镓层与第一N型氮化镓层之间还设有石墨烯层；石墨烯层有助于电子在第一N型氮化镓中的横向传导，改善传统氮化镓基二极管在N型氮化镓层电流阻堵塞的问题；且与传统将石墨烯层置于衬底上的方式相比，更适合用于和现有大量采用的图样化基板技术相匹配；本发明还提供一种具有石墨烯层的氮化镓基光电器件的外延结构的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 石墨 氮化 光电 器件 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有石墨烯层的氮化镓基光电器件外延结构，包括衬底，其特征在于：所述衬底自下至上依次层状叠加的设置氮化物缓冲层、非故意掺杂氮化镓层和第一N型氮化镓层；再在第一N型氮化镓层的基础上，在第一N型氮化镓层一侧表面上再次自下至上依次层状叠加的设置有源层、P型氮化镓层、ITO导电层和P电极；在第一N型氮化镓层另一侧表面上设置与P电极绝缘的N电极；所述非故意掺杂氮化镓层与第一N型氮化镓层之间还设有便于电子横向传导的石墨烯层。
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