[发明专利]含钼靶材有效
| 申请号： | 201611027673.1 | 申请日： | 2010-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN107083534B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | G·A·罗扎克;M·E·盖多斯;P·A·霍根;S·孙 | 申请（专利权）人： | H·C·施塔克公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23F1/14 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 江侧燕 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及包括50原子％或更多钼、第二金属元素钛及第三金属元素铬或钽的溅射靶材，以及由所述溅射靶材制造的沉积膜。在本发明的优选方面，所述溅射靶材包括一富钼相、一富钛相及一富第三金属元素相。 | ||
| 搜索关键词： | 含钼靶材 | ||
【主权项】：
1.一种触摸屏器件，包括a)一基材层；b)一导电层；和c)一薄膜层，所述薄膜层包括：i)占所述薄膜层原子总数50原子％至98原子％的钼；ii)占所述薄膜层原子总数0.5原子％或更多的钛；和iii)占所述薄膜层原子总数0.5原子％或更多的第三金属元素，其中所述第三金属元素是钽或铬；其中通过溅射溅射靶材沉积所述薄膜层，所述溅射靶材包括:i)占所述溅射靶材总体积40体积％或更高的第一相，其中所述第一相包括浓度占第一相中原子总数50原子％或更高的钼；ii)占所述溅射靶材总体积1至40体积％的第二相，其中所述第二相包括浓度占第二相中原子总数50原子％或更高的钛；及iii)占所述溅射靶材总体积1至40体积％的第三相，其中所述第三相包括浓度占第三相中原子总数50原子％或更高的第三金属元素，所述第三金属元素是钽或铬。
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