[发明专利]一种溶液法生长氯氧化钐纳米晶及其方法

摘要

本发明涉及一种溶液法生长氯氧化钐纳米晶及其方法，属于无机三元稀土化合物纳米晶材料合成领域。先按照1：(1～10)的摩尔比，将钐源和氯源前驱体分散在溶剂中，经过搅拌达到均匀混合。随后在保护气氛下，升温到200摄氏度以上，通过一定的保温时间，完成氯氧化钐纳米晶的生长。随后，经过离心分离即可获得氯氧化钐纳米晶。所生长的氯氧化钐纳米晶具有完整的长方体形貌，厚度约为20纳米，同时，具有很好的单分散性。本发明采用溶液法合成氯氧化钐纳米晶，具有反应温度低，操作简单，容易控制，所制备的氯氧化钐纳米晶纯度高，无任何可探测到的杂质相。为进一步研究氯氧化钐纳米晶的物理化学性质提供重要的物质平台。

主权项

1.一种溶液法生长氯氧化钐纳米晶的方法，其特征在于，由以下步骤组成：步骤一：将钐源和氯源加入到溶剂中，得到混合溶液；其中钐源和氯源之间的摩尔比为1：(1～10)；步骤二：在持续搅拌和保护气氛下，将混合溶液升温至200℃以上进行反应，完成纳米晶生长，将产物经过分离获得氯氧化钐纳米晶。