[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置有效
| 申请号： | 201611015977.6 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106384767B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 梁柱荣;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置，所述量子点发光二极管从下而上依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；其中，所述量子点发光层的材料含有量子点与CuSCN纳米颗粒。本发明是将量子点与CuSCN纳米颗粒共混成膜来制备量子点发光层，利用这种方法来钝化量子点表面的空穴缺陷态，并提高空穴的传输效果，使QLED器件中空穴与电子的注入达到平衡，从而提高QLED器件的发光效率及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 发光二极管 及其 制备 方法 发光 模组 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括阳极和阴极，及在所述阳极和所述阴极之间设置的量子点发光层；其中，所述量子点发光层的材料含有量子点与CuSCN纳米颗粒。
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