[发明专利]一种老化性能优良的低残压直流压敏电阻制备方法在审
| 申请号： | 201611015724.9 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106653259A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 何金良;胡军;孟鹏飞 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01C17/00 | 分类号： | H01C17/00;H01C17/06 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司50219 | 代理人： | 刘立春 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种老化性能优良的低残压直流压敏电阻制备方法，包括辅料配制步骤、混料步骤、成型步骤、烧结步骤、磨片步骤。所述辅助添加浆料的成分包括Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Co2O3、NiO、B2O3、Al(NO3)3、K2SO4、CaCO3、MgO、去离子水。其有益效果是采用本发明方法带来的有益变化是，基本保持了直流压敏电阻的制造工艺，使得电阻片的制造周期缩短，不使用渗铋工艺，直流压敏电阻的制造工艺被简化。由于新发明在配方和工艺上均进行了改进，使得新的直流压敏电阻具有优良的特性。 | ||
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【主权项】：
一种老化性能优良的低残压直流压敏电阻制备方法，包括辅料配制步骤、混料步骤、成型步骤、烧结步骤、磨片步骤，其特征在于，所述辅料配制步骤、混料步骤、成型步骤、烧结步骤、磨片步骤依次进行经过辅料配制步骤获得辅助添加浆料，所述辅助添加浆料经过混合步骤获得ZnO浆料，所述ZnO浆料经过成型步骤获得ZnO坯体，所述ZnO坯体经过介绍步骤获得ZnO陶瓷，将所述ZnO陶瓷经过磨片步骤获得压敏电阻。
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