[发明专利]一种GaN基LED与TFT异质单片集成的LED微显示像素单元结构

摘要

本发明提供一种TFT与GaN基LED异质单片集成的LED微显示像素单元结构，该结构由GaN基LED结构与TFT结构两部分组成：GaN基LED在蓝宝石衬底依次外延生长u‑GaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱有源层、p‑GaN层、InGaN基接触层；TFT结构是在已经制作成LED芯片单元结构上面进行生长，依次生长绝缘层、TFT源极（也是LED的P电极）、TFT漏极、半导体层作为TFT有源层、栅极绝缘层、栅极。本发明实现了LED与TFT集成到同一衬底上，实现异质单片集成TFT直接调制LED灰度，提升LED微显示的电学稳定性和集成度。

主权项

1.一种GaN基LED和TFT异质单片集成的LED微显示像素单元结构，其特征在于，该结构由GaN基LED结构和TFT结构两部分组成，TFT结构是生长在GaN基LED结构的InGaN接触层表面，依次生长绝缘层、TFT源极、TFT漏极、TFT有源层、TFT栅极绝缘层和TFT栅极，其中TFT有源层采用半导体材料，TFT源极还作为LED的P电极。