[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的减反射膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备方法，包括如下步骤(1)采用PECVD方法在硅片表面沉积形成氮化硅膜；(2)将步骤(1)的硅片在氢气或氨气气氛下进行高温退火处理，(3)采用PECVD方法在步骤(2)的硅片表面沉积形成氮氧化硅膜；即可得到由氮化硅膜和氮氧化硅膜层叠组成的双层减反射膜。实验证明，与现有的单层氮化硅膜或双层叠层氮化硅膜相比，本发明的双层减反射膜具有更低的折射率，且能更好的减少电池片结区和发射区的缺陷，增加少子寿命和电池片的效率，最终制得的电池片具有更好的电性能和光电转换效率。

主权项

一种晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 采用PECVD方法在硅片表面沉积形成氮化硅膜；(2) 将步骤(1)的硅片在氢气或氨气气氛下进行高温退火处理；所述氢气的流量控制在500~1200 sccm，或者，所述氨气的流量控制在500~1200 sccm；(3) 采用PECVD方法在步骤(2)的硅片表面沉积形成氮氧化硅膜；其所用的反应气体为二氧化氮和硅烷；即可得到由氮化硅膜和氮氧化硅膜层叠组成的双层减反射膜。