[发明专利]一种简易的对讲机保护模块在审

专利信息
申请号: 201610995205.7 申请日: 2016-11-11
公开(公告)号: CN108075458A 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 曾国春 申请(专利权)人: 曾国春
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种简易的对讲机保护模块,包括电阻一、反相器、P沟道增强型绝缘栅型场效应管一及P沟道增强型绝缘栅型场效应管二,电阻一两端分别与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二源极连接,P沟道增强型绝缘栅型场效应管一的源极接地,P沟道增强型绝缘栅型场效应管二为二极管连接的MOS管。反相器的输入端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管二漏极连接,反相器的输出端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一栅极连接,P沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极与电阻一之间的线路上连接有直流电压输入线。本发明采用上述结构,整体结构简单,便于实现,且本发明能在输入过高时进行泄压,从而避免输入对讲机内芯片的电压过高而导致芯片损坏。
搜索关键词: 绝缘栅型场效应管 反相器 对讲机 电阻 漏极 保护模块 简易 二极管连接 芯片损坏 源极接地 源极连接 栅极连接 直流电压 内芯片 输出端 输入端 输入线 泄压
【主权项】:
1.一种简易的对讲机保护模块,其特征在于:包括电阻一(R1)、反相器(INV1)、P沟道增强型绝缘栅型场效应管一(P1)及P沟道增强型绝缘栅型场效应管二(P2),所述电阻一(R1)两端分别与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一(P1)漏极和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二(P2)源极连接,P沟道增强型绝缘栅型场效应管一(P1)的源极接地,所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管二(P2)为二极管连接的MOS管,所述反相器(INV1)的输入端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管二(P2)漏极连接,反相器(INV1)的输出端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一(P1)栅极连接,所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管一(P1)漏极与电阻一(R1)之间的线路上连接有直流电压输入线(1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于曾国春,未经曾国春许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610995205.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top