[发明专利]一种集成5伏器件和SONOS存储器的制造方法

摘要

一种集成5伏器件和SONOS存储器的制造方法，包括：在形成5伏器件器件区域形成5伏器件栅极结构，在SONOS存储器区域形成存储单元栅极结构，5伏器件栅极结构包括依次形成在衬底上的栅极氧化层、栅极多晶硅层和第一氮化硅层；存储单元栅极结构包括依次形成在衬底上的ONO叠层、多晶硅层和第二氮化硅层；刻蚀ONO叠层的上层氧化层和氮化层；在5伏器件器件区域和SONOS存储器区域淀积氧化物层；刻蚀氧化物层从而在5伏器件栅极结构侧壁形成第一侧墙，在存储单元栅极结构侧壁形成第二侧墙；执行第一次湿法刻蚀去除包在第一氮化硅层和第二氮化硅层侧壁上的侧墙部分，分别形成第一缩小侧墙和第二缩小侧墙；执行第二次湿法刻蚀去除第一和第二氮化硅层。

主权项

1.一种集成5伏器件和SONOS存储器的制造方法，其特征在于包括：第一步骤：在形成5伏器件器件区域形成5伏器件栅极结构，在SONOS存储器区域形成存储单元栅极结构；其中，5伏器件栅极结构包括依次形成在衬底上的栅极氧化层、栅极多晶硅层和第一氮化硅层；存储单元栅极结构包括依次形成在衬底上的ONO叠层、多晶硅层和第二氮化硅层，且ONO叠层在衬底平面上的尺寸大于多晶硅层和第二氮化硅层；第二步骤：刻蚀ONO叠层的上层氧化层和氮化层使得ONO叠层在衬底平面上的尺寸等于多晶硅层和第二氮化硅层；第三步骤：在5伏器件器件区域和SONOS存储器区域淀积氧化物层；第四步骤：刻蚀氧化物层从而在5伏器件栅极结构侧壁形成第一侧墙，在存储单元栅极结构侧壁形成第二侧墙；第五步骤：执行第一次湿法刻蚀去除包在第一氮化硅层和第二氮化硅层侧壁上的侧墙部分，从而分别形成第一缩小侧墙和第二缩小侧墙；第六步骤：执行第二次湿法刻蚀去除第一氮化硅层和第二氮化硅层。