[发明专利]非易失性存储器装置及其读方法有效
申请号: | 201610984661.1 | 申请日: | 2016-11-09 |
公开(公告)号: | CN106683702B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 朴商秀;朴俊泓;沈烔教 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/08;G11C16/24 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括:包括多个存储器单元的单元阵列、包括多个锁存集的页缓冲器和控制逻辑。页缓冲器通过位线连接至单元阵列。锁存集分别被构造为通过位线从存储器单元中的所选择的存储器单元中感测数据。锁存集分别被构造为执行多次读操作,以确定一个数据状态。锁存集分别被构造为存储读操作的结果。控制逻辑被构造为控制页缓冲器,以使得锁存集按次序分别存储读操作的结果,以将存储在锁存集中的数据彼此比较,以及基于比较结果选择锁存集中的一个锁存集。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储器装置,包括:单元阵列,其包括多个存储器单元;连接至单元阵列的多条位线;页缓冲器,其包括多个锁存集,所述页缓冲器通过位线连接至单元阵列,所述锁存集分别被构造为通过位线从存储器单元中的所选择的存储器单元中感测数据,所述锁存集分别被构造为执行多次读操作,以确定一个数据状态,并且所述锁存集分别被构造为存储读操作的结果;以及控制逻辑,其被构造为控制页缓冲器,以使得锁存集按次序分别存储读操作的结果,以将存储在锁存集中的数据彼此比较,并且基于比较结果选择所述锁存集中的一个锁存集。
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