[发明专利]用于减小半导体器件中的热机械应力的方法以及对应器件有效
| 申请号： | 201610983331.0 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107026116B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | P·科尔帕尼;A·米拉尼;L·瓜里诺 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在一个实施例中，一种半导体器件包括一个或多个金属化层，诸如例如Cu‑RDL金属化层，设置在电介质层之上的钝化层上。在金属化层的角部附近穿过钝化层和电介质层提供过孔。过孔可以是不具有去往有源器件的电连接的“虚设”过孔，并且可以设置在距位于下方金属层上的所述汇聚侧边的每一个近似1微米(10 |
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| 搜索关键词： | 用于 减小 半导体器件 中的 机械 应力 方法 以及 对应 器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：制造半导体器件，所述制造包括：在电介质层之上提供钝化层；在所述钝化层上提供金属化层，所述金属化层具有角部；以及在所述角部附近提供穿过所述钝化层和所述电介质层的过孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
