[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括存储单元器件区，在所述存储单元器件区的半导体衬底上形成由存储单元组成的存储阵列；在所述半导体衬底上形成初始层间介电层、第一层间介电层、第二层间介电层和第三层间介电层；在所述第三层间介电层中形成用于形成第一金属层的沟槽；在所述第二层间介电层中形成源区的顶部接触孔和漏区的顶部接触孔；形成源漏区顶部接触，以及第一金属层，其中，在图形化所述第二层间介电层时，以图形化的所述第三层间介电层自对准进行。该制作方法可以简化顶部接触孔布图并降低成本。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括存储单元器件区，在所述存储单元器件区的半导体衬底中形成隔离结构和被所述隔离结构分隔的有源区，在所述存储单元器件区的半导体衬底上形成由存储单元组成的存储阵列；在所述半导体衬底上形成初始层间介电层，并在所述初始层间介电层中形成源区底部接触和漏区底部接触；在所述初始层间介电层上形成第一层间介电层、第二层间介电层和第三层间介电层；图形化所述第三层间介电层，以在所述第三层间介电层中形成用于形成第一金属层的沟槽；图形化所述第二层间介电层，以在所述第二层间介电层中形成源区的顶部接触孔和漏区的顶部接触孔，所述源区的顶部接触孔和漏区的顶部接触孔与所述沟槽连通，且与对应的源区底部接触和漏区底部接触接触；以导电材料填充所述沟槽以及源区的顶部接触孔和漏区的顶部接触孔，以形成源区顶部接触和漏区顶部接触，以及与所述源区顶部接触和漏区顶部接触连接的第一金属层，其中，在图形化所述第二层间介电层时，以图形化的所述第三层间介电层自对准进行。