[发明专利]一种改善多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法

摘要

本发明公开了一种改善多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法，该方法是将常规作为阴极的圆形薄铂片，以圆形薄铂片中心为圆心，沿着圆形薄铂片半径剪开，铂片卷起构成一个圆锥形的薄铂片，锥形薄铂片的内表面面向硅片作为阴极，以圆锥底部面中心为圆心，沿径向方向离圆心越远，锥形薄铂片阴极离硅片的实际距离越近。一方面，离硅片中心越远，腐蚀电流面密度越大，从而沿径向方向上随离硅片腐蚀中心越远而腐蚀越深；另一方面，正常恒流腐蚀下，随离腐蚀中心越远，沿径向方向物理厚度缓慢变小，在一定条件下，二者达到动态平衡，从而增强了多孔硅薄膜内表面的径向物理微结构的均匀性，保证多孔硅薄膜径向物理微结构的均匀性。

主权项

一种改善多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法，其特征在于，将常规作为阴极的圆形薄铂片制作成一个圆锥形的薄铂片，圆锥形薄铂片的内表面面向硅片作为阴极。